半导体芯片检测的“透视眼”

       利用近红外光对半导体材料的穿透性特点，红外显微镜作为芯片制造以及微电子器件的典型无损检测手段越来越多的受到重视。通过红外显微镜对硅片穿透可观察晶体生长过程中的位错，隐裂痕；芯片划片封装的不良状况无损分析；封装后的焊接部分检查；可直接穿透厚度不超过600μm的硅片，观察IC芯片内部，观察内部线路断裂，崩边，崩裂，溢出等；也应用于包括产品晶圆生产内部缺陷检查，短断路检查（烧蚀标记、压力指标等）、键合对准（薄键合电路）、失效分析和来料测试。

      反射光显微镜非常适合于从上方照亮样品，但透射光IR设计为通过硅片从样品下方照亮样品，从而增强对比度。因此，透射光尤其适用于通过硅片检查图形对准或框标。OLYMPUS的红外检查显微镜可以分别或者同时使用红外光检查。

近红外一般定义为700-2000nm波长范围内的光线，对于红外摄像头而言硅基传感器的上限约为1100nm，铟镓砷（InGaAs）传感器大约1800nm左右，都是目前在近红外显微观察中使用的主要传感器，可覆盖典型的近红外频带。大量使用可见光难以或无法实施的应用可通过近红外成像完成。当使用近红外成像时，水蒸气、硅、部分化合物、部分蓝膜等特定材料均为透明，因此红外显微检测被应用于半导体行业的各个方面。

我们提供全套数字近红外系统

      奥林巴斯BX/MX系列红外显微镜配置IR专用物镜可用于专业近红外成像和观察，也可进一步对图像分析和测量。我们的UIS2系列专用红外线（IR）物镜为近红外线数码成像推出专业交钥匙实验室解决方案。最新一代的UIS2专用近红外线物镜可增加近红外光谱的透射率，提供特定硅片厚度所需的校正环（20x、50x和100x物镜），最大程度提高透射率和性能。

    奥林巴斯XM10-IR数码摄像头可提供1100 nm内全近红外光谱的高对比度图像，同时由于使用了较大的2/3英寸CCD传感器，仍可保持较大视野。同时针对需要更长的波长要求，或者更高的图像分辨率要求，我们可提供其他专业的科研级红外相机，也提供OLYMPUS Stream软件或相应的图像分析软件，加强图像识别能力，背景矫正能力，用户可以轻松提高实时和捕获红外图像的对比度；还能够精确测量图像视野内的任何位置，自动创建报告，并保存图像和相关数据。

我们的全套数字近红外解决方案非常适合于硅片高质量成像和检查，其中包括：

• 正置红外显微镜（BX53系列）或专用红外硅片检测显微镜（MX63系列）

  可同时进行反射光和透射光的红外观测

• UIS2-IR物镜，高倍有针对硅片厚度矫正环

• 专用红外偏光镜可消除光晕、提高成像衬度

• U-BP1100IR和U-BP1200IR带通滤光镜，最适合于硅衬底的CSP观察
  

• 专用红外摄像头

  XM10-IR高灵敏度1.4 MP CCD FireWire数字摄像头

  Iris9 sCMOS近红外相机  高动态范围/高灵敏度 9百万像素USB3.0摄像头 

  HAMAMATSU InGaAs 摄像头 1700nm响应
  

• OLYMPUS Stream及其他红外图像分析软件

  
  

我们的近红外系统能够穿透硅片下方获取高质量图像，执行精确测量，创建可靠的报告，并保存图像，这些都不会损坏成品。

     红外显微镜除了在半导体芯片/LCD/LED等电子领域运用外，在地质行业的矿石鉴定方面，利用红外显微镜观察不透明-半透明矿物中的流体包裹体和内部结构构造,并与冷热台相结合,进行流体包裹体显微测温分析是目前岩矿鉴定发展的一个方向，尤其在黄铁矿中流体包裹体观测及内部结构构造等方面的应用也是普遍的手段之一；甚至在文博行业，油画的分层鉴定，修复等领域，也有广泛应用。